75V N-Channel MOSFET

Description UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable

文件：631.63 Kbytes 页数：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =11mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

文件：332.47 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，75 V，75 A，11 mΩ，TO-220

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。 •75A，75V，RDS(on) = 0.011Ω @VGS = 10 V\n•低栅极电荷（典型值145 nC）\n•低Crss（典型值86 pF）\n•快速开关\n• Improved dv/dt Capability;

ONSEMI

安森美半导体

75A 80V N Channel Mosfet Transistor

█ APPLICATIONSL Low Voltage high-Speed Switching. Tstg——Storage Temperature…… … …… … … … … -55~175℃ Tj ——Operating Junction Temperature ………………150℃ PD —— Allowable Power Dissipation（ Tc=25℃ ） ………173W VGSS —— Gate-Source Voltage … … ……… …… … …±20V VDSS —— Drain-Source Voltage

文件：862.62 Kbytes 页数：7 Pages

FCI

富加宜

N-Channel MOSFET

文件：276.09 Kbytes 页数：5 Pages

HUASHAN

华汕电子器件

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件：298.29 Kbytes 页数：8 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体