FDP75N08A中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，75 V，75 A，11 mΩ，TO-220数据手册ONSEMI规格书
FDP75N08A规格书详情
描述 Description
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
特性 Features
•75A，75V，RDS(on) = 0.011Ω @VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值145 nC）
•低Crss（典型值86 pF）
•快速开关
• Improved dv/dt Capability
应用 Application
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
• 台式计算机
• AC-DC商用电源-台式计算机
技术参数
- 制造商编号
：FDP75N08A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：75
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：75
- PD Max (W)
：137
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：11
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：80
- Ciss Typ (pF)
：3437
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
仙童 |
23+ |
TO |
5500 |
现货,全新原装 |
询价 | ||
FAI |
24+ |
750 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-220 |
15650 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
6109 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDP75N08A即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO220 |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 |
