FDP6030BL中文资料N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V，40A，18mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 这些MOSFET与其他具有可比RDS(on)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而产生整体效率更高的DC/DC电源设计。

特性 Features

•40 A，30 V
•RDS(ON) = 0.018 Ω @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 0.024 Ω @ VGS = 4.5 V
•在高温下指定的临界DC电气参数。
•耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON).
•175°C最大结温额定值。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.