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FDP3682中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,32A,36mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP3682

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,32A,36mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 14:36:00

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FDP3682规格书详情

描述 Description

100V,32A,0.036Ω @ VGS = 10V,TO-220 封装

特性 Features

•RDS(ON) = 32mΩ(典型值), VGS = 10V, ID = 32A
•Qg(tot) = 18.5nC (典型值),VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 QRR体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 运动控制-工业电机
• 其他工业
• 不间断电源
• Consumer Appliances
• Synchronous Rectifier
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP3682

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :32

  • PD Max (W)

    :95

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :36

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18.5

  • Ciss Typ (pF)

    :1250

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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