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FDP3651U中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP3651U

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,80A,18mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 14:30:00

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FDP3651U规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 80 A, 18 mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 15mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•低米勒电荷
•UIS能力(单脉冲/重复脉冲)

应用 Application

• 不间断电源
• AC-DC商用电源
• 其他数据处理
• Consumer Appliances
• Synchronous Rectification
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP3651U

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :5.5

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :255

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :49

  • Ciss Typ (pF)

    :4152

  • Package Type

    :TO-220-3

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