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FDP3632数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP3632

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,80A,9mΩ 推荐替代产品为 FDP090N10

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 15:22:00

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FDP3632规格书详情

描述 Description



特性 Features

•rDS(ON) = 7.5m? (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A
•Qg(tot) = 84nC (Typ.), VGS = 10V
•Low Miller Charge
•Low QRR Body Diode
•UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
•Qualified to AEC Q101
•RoHS Compliant

技术参数

  • 型号:

    FDP3632

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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