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FDP2572中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,29A,54mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP2572

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,29A,54mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 17:30:00

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FDP2572规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 150 V, 29 A, 54 mΩ

特性 Features

•RDS(on) = 45mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 9A
•QG(tot) = 26nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• 运动控制-工业电机
• 其他工业
• 不间断电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP2572

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :29

  • PD Max (W)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :54

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :26

  • Ciss Typ (pF)

    :1770

  • Package Type

    :TO-220-3

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