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FDP18N20F数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDP18N20F

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,200 V,18 A,140 mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:04:00

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FDP18N20F规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 120mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 9A
•低栅极电荷(典型值 20nC)
•低 Crss(典型值 24pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Consumer Appliances
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP18N20F

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :18

  • PD Max (W)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :140

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :20

  • Ciss Typ (pF)

    :885

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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