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FDP10N60NZ中文资料Power MOSFET,N 沟道,UniFETTMII,600V,10A,750mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDP10N60NZ

功能描述

Power MOSFET,N 沟道,UniFETTMII,600V,10A,750mΩ,TO-220

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 20:00:00

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FDP10N60NZ规格书详情

描述 Description

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 640mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 5A栅极电荷低(典型值:23nC)
•低 Crss(典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV

技术参数

  • 制造商编号

    :FDP10N60NZ

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :10

  • PD Max (W)

    :185

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :750

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :23

  • Ciss Typ (pF)

    :1110

  • Package Type

    :TO-220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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