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FDP10N60NZ中文资料Power MOSFET,N 沟道,UniFETTMII,600V,10A,750mΩ,TO-220数据手册ONSEMI规格书
FDP10N60NZ规格书详情
描述 Description
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻,还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外,内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 640mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 5A栅极电荷低(典型值:23nC)
•低 Crss(典型值10pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• LCD / LED / PDP TV
技术参数
- 制造商编号
:FDP10N60NZ
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:600
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:5
- ID Max (A)
:10
- PD Max (W)
:185
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:750
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:23
- Ciss Typ (pF)
:1110
- Package Type
:TO-220-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
22800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VB |
25+ |
TO-220C |
5010 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220(TO-220-3) |
8080 |
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询价 | ||
ONSEMI |
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NA |
3000 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220 |
8000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
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ON/安森美 |
23+ |
TO-220(TO-220-3) |
8080 |
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询价 |