首页>FDP032N08B>规格书详情
FDP032N08B中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，211A，3.3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP032N08B规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 2.85mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A
•低 FOM RDS(on)*QG
•低反向恢复电荷，Qrr
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-台式计算机
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 其他数据处理
• 电动自行车
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Renewable System
技术参数
- 制造商编号
：FDP032N08B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：211
- PD Max (W)
：263
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：111
- Ciss Typ (pF)
：8245
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-220 |
150 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220(TO-220-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220(TO-220-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220(TO-220-3) |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHI |
24+ |
TO220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
FSC |
17+ |
TO-220 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
