FDN86265P中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-0.8A，1.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FDN86265P规格书详情
描述 Description
本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -0.8 A）
• 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.7 A）
•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况
•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Active Clamp Switch
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDN86265P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-150
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-0.8
- PD Max (W)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：2.9
- Ciss Typ (pF)
：158
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOT23-3 |
9000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
SSOT-3 |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-23 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2019+ |
SOT-23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
12000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
