P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：270.5 Kbytes 页数：7 Pages

Fairchild

仙童半导体

丝印：D5TPM；Package：SOT-23；-150V,P-Channel Power Trench MOSFET

Application Load Switch Active Clamp Switch

文件：1.06962 Mbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-0.8A，1.2Ω

本 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench®工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -0.8 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.7 A）\n•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n• 100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

PM (Polarization Maintaining) Fiber Assemblies

文件：144.48 Kbytes 页数：2 Pages

Molex

莫仕

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：288.64 Kbytes 页数：8 Pages

Fairchild

仙童半导体