P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-1A，1.2Ω

此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on)=1.2 Ω（VGS=-10 V、ID=-1 A）\n• 最大 rDS(on) =1.4 Ω（VGS=-6 V、ID=-0.9 A）\n• 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装\n• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

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P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel PowerTrench MOSFET

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-150V,P-Channel Power Trench MOSFET

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