P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-2.6A，1.2Ω

此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 1.2 Ω（需 VGS = -10 V、ID = -1 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.4 Ω（需 VGS = -6 V、ID = -0.9 A）\n•中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n•本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：288.64 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

P-Channel PowerTrench MOSFET

文件：270.5 Kbytes 页数：7 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

-150V,P-Channel Power Trench MOSFET

Application Load Switch Active Clamp Switch

文件：1.06962 Mbytes 页数：3 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子