FDN358P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDN358P规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
特性 Features
•-1.5 A，-30 V
•RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V
•低栅极电荷（4nC，典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Power Management
• Battery Charging Circuit
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDN358P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-1.5
- PD Max (W)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4
- Ciss Typ (pF)
：182
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
1740+ |
NA |
3000 |
原装正品 价格极优 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
友台UMW |
25+ |
DIP |
3000 |
国产替换现货降本 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
SOT23 |
98000 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2021+ |
SOT23 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
18+ |
SSOT-3 |
60000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOT23 |
10000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT23-6 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
新年份 |
SOT-23-3 |
65000 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
FSC |
24+ |
SMD |
12000 |
原厂/代理渠道价格优势 |
询价 |
