FDN358P中文资料单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，125mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDN358P规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
特性 Features
•-1.5 A，-30 V
•RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = 10 V
•RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V
•低栅极电荷（4nC，典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Power Management
• Battery Charging Circuit
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDN358P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-1.5
- PD Max (W)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：125
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：4
- Ciss Typ (pF)
：182
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23-3 |
28405 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23 |
54815 |
百分百原装现货,实单必成,欢迎询价 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT23 |
9526 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
7668 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIN |
22+ |
SOT23 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
