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FDN358P	文件：324.26 Kbytes Page：5 Pages	Marking：358；Package：SOT-23；P−CHANNEL MOSFET Features •Lowgatecharge(4nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON). •HighpowerversionofindustryStandardSOT-23 package.Identicalpin-outtoSOT-23with30 higherpowerhandlingcapability. •VDS(V)=-30V •ID=-1.5A •RDS(ON)90m(VGS=-	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN358P	文件：85.26 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLM358	文件：272.94 Kbytes Page：7 Pages	FLM358DUALOPERATIONALAMPLIFIERANDVOLTAGEREFERENCE	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FND358C	文件：409.95 Kbytes Page：4 Pages	SEVENSEGMENTDISPLAYS	QT QT Optoelectronics	QT
FP358C	文件：83.57 Kbytes Page：2 Pages	GROUPDELAYPRE-CORRECTION	FaradayFaraday Technology 智原科技智原科技股份有限公司	Faraday
GL358	文件：210.82 Kbytes Page：4 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix
GL358	文件：295.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENTTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GL358	文件：298.55 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENTTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GL358	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GL358A	文件：210.82 Kbytes Page：4 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIER	HynixHynix Semiconductor 海力士海力士半导体	Hynix

详细参数

型号：
FDN358P
功能描述：
MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDN358P供应商更新时间2025-7-24 13:40:00

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