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FDN338P数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDN338P

功能描述

P 沟道,2.5V 指定,PowerTrench™ MOSFET,-20V,-1.6A,115mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 21:09:00

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FDN338P规格书详情

描述 Description

此 P 沟道 2.5 V 额定 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•–1.6 A, –20 V.
•RDS(ON)= 115 mΩ @ VGS = –4.5 V
•RDS(ON) = 155 mΩ @ VGS = –2.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™ -3 提供低 RDS(ON),并且在同样的尺寸下,功率处理能力比 SOT23 高出 30%

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN338P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-1.6

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :155

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :115

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :7.2

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.4

  • Ciss Typ (pF)

    :451

  • Package Type

    :SOT-23-3

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