FDN335N数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•1.7 A，20 V。 RDS(on) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V。 RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V。
• RDS(on) = 0.07 Ω @ VGS = 4.5 V
• RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = 2.5 V
•低栅极电荷（3.5nC，典型值）。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
•高功率和高电流处理能力。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC converter
• Load Switch