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FDN306P中文资料低压N沟道增强型场效应管数据手册Puolop规格书

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厂商型号

FDN306P

功能描述

低压N沟道增强型场效应管

制造商

Puolop ShenZhen Puolop Electronics co.,LTD.

中文名称

迪浦 深圳市迪浦电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDN306P规格书详情

描述 Description


-12V P-Channel Enhancemen t ModeMOSFET
Features
• –2.6 A, –12 V. RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V
RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –1.8 V
• Fast switching speed
Applications
• Battery management
• Load switch
• Battery protection

技术参数

  • 型号:

    FDN306P

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT-23(SOT-23-3)
30000
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SOT23
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SOT23-3
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SOT23
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