FDN306P数据手册Puolop中文资料规格书
FDN306P规格书详情
描述 Description
-12V P-Channel Enhancemen t ModeMOSFET
Features
• –2.6 A, –12 V. RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V
RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V
RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = –1.8 V
• Fast switching speed
Applications
• Battery management
• Load switch
• Battery protection
技术参数
- 型号：
FDN306P
- 功能描述：
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
SMD |
8650 |
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询价 | ||
FAIRCHIL |
23+24 |
SOT-23 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT23 |
12 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT23-3 |
5000 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT23-3 |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT-23 |
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FAIRCHILD |
23+ |
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恩XP |
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NA |
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FAIRCHILD |
24+ |
SOT23-3 |
8000 |
原装，正品 |
询价 |
