首页>FDMT1D3N08B>规格书详情
FDMT1D3N08B数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMT1D3N08B规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 0.56 mΩ（VGS = 10 V、ID = 64 A）
• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ（VGS = 6 V、ID = 47 A）
• 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低 rDS(on)和高效率
•下一代增强体二极管技术，设计用于软件恢复
•薄型 8x8mm MLP 封装
•MSL1 强健封装设计
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准
应用 Application
• Oring FET / Load Switch
• Synchronous Rectification
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDMT1D3N08B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：164
- PD Max (W)
：178
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：152
- Ciss Typ (pF)
：14000
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
PQFN8 |
30 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DualCool88 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
10 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DualCool-88-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
