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FDMS8888数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS8888

功能描述

N沟道PowerTrench® MOSFET 30V,21A,9.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 13:56:00

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FDMS8888规格书详情

描述 Description

FDMS8888 设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供最低的 rDS(on)。

特性 Features

• 最大 rDS(on) = 9.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 13.5 A)
• 最大 rDS(on) = 14.5 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 10.9 A)
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
• MSL1 耐用封装设计
• 符合RoHS标准

应用 Application

• 笔记本电脑
• Synchronous Buck for Notebook Vcore and Server
• Notebook Battery Pack
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8888

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :21

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :14.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :9.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :1195

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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