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FDMS8670S中文资料N 沟道,PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,30V,42A,3.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8670S

功能描述

N 沟道,PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,30V,42A,3.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS8670S规格书详情

描述 Description

FDMS8670S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合,在保持卓越开关性能的同时,提供了最低的rDS(on)。 该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 20A时,最大rDS(on) = 3.5 mΩ
•VGS = 4.5V,ID = 17A时,最大rDS(on) = 5.0 mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•SyncFET肖特基体二极管
•MSL1耐用封装设计
•符合RoHS标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Synchronous Rectifier for DC/DC Converters
• Notebook Vcore/GPU low side switch
• Networking Point of Load low side switch
• Telecom secondary side rectification

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8670S

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :42

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :30

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :3005

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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