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FDMS8670S	文件：273.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench SyncFETTM 文件：273.05 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMS8670S	文件：231.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 SyncFET TM 30V, 42A, 3.5m? 文件：231.05 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMS8670S	文件：345.48 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 SyncFET TM 文件：345.48 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMS8670S_07	文件：231.05 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 SyncFET TM 30V, 42A, 3.5m? 文件：231.05 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMS8670S_08	文件：345.48 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 SyncFET TM 文件：345.48 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDMS8670S	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，30V，42A，3.5mΩ FDMS8670S设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。该器件可被额外作为一个有效的单片肖特基体二极管使用。 •VGS = 10V，ID = 20A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ\n•VGS = 4.5V，ID = 17A时，最大rDS(on) = 5.0 mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•SyncFET肖特基体二极管\n•MSL1耐用封装设计\n•符合RoHS标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
42
PD Max (W)：
78
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
5
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
3.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
30
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
24
Ciss Typ (pF)：
3005
Package Type：
PQFN-8

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更多FDMS8670S供应商更新时间2025-12-13 19:07:00

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