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FDMS86550ET60中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,245A,1.65mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86550ET60

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,245A,1.65mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 20:00:00

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FDMS86550ET60规格书详情

描述 Description

飞兆先进的 PowerTrench® 工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而量身定制的。

特性 Features

•扩展额定 TJ 至 175°C
• 最大值 rDS(on) = 1.65 mΩ(VGS = 10 V、ID = 32 A)
• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ(VGS = 8 V, ID = 27 A)
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•MSL1 耐用封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• Primary Switch in insolated DC-DC
• Synchronous Rectifier
• Load Switch

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86550ET60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :245

  • PD Max (W)

    :187

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.65

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :90

  • Ciss Typ (pF)

    :8235

  • Package Type

    :PQFN-8

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