FDMS86300中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,122A,3.9mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86300规格书详情
描述 Description
该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 19A时,最大rDS(on) = 3.9mΩ
•最大rDS(on) = 5.5 mΩ (VGS = 8 V, ID = 15.5 A)
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•下一代增强型体二极管技术,专为软恢复设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86300
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:122
- PD Max (W)
:104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:3.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:59
- Ciss Typ (pF)
:5325
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
52048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
QFN |
9000 |
代理货源假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
PQFN-8L |
403 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
DFN-8 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价FDMS86300即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ON |
18+ |
QFN |
19 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
DFN-5(5x6) |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
onsemi |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
ON |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN5*6 |
504702 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 |