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FDMS86300	文件：261.779 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 80 V, 42 A, 3.9 m廓 GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyandtominimizeswitchnoderingingofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowrDS(on),fastswitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS86300DC	文件：1.16337 Mbytes Page：2 Pages	DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH짰 MOSFETs DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceﬂexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS86300DC	文件：285.52 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Dual CoolTM Power Trench짰 MOSFET 80 V, 60 A, 3.1 m廓 DualCool™packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformanceﬂexibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
NSYCRN86300	文件：100.29 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNplaindoorw/omount.plate.H800xW600xD300IP66IK10RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
NSYCRN86300P	文件：100.3 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNplaindoorwithmount.plate.H800xW600xD300IP66IK10RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气
NSYCRN86300T	文件：110.83 Kbytes Page：2 Pages	SpacialCRNtsptdoorw/omount.plate.H800xW600xD300IP66IK08RAL7035..	SCHNEIDERSchneider electric 施耐德施耐德电气

详细参数

型号：
FDMS86300
功能描述：
MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDMS86300供应商更新时间2024-4-27 10:06:00

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