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FDMS86300DC数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDMS86300DC

功能描述

N 沟道,双 CoolTM 56 PowerTrench® MOSFET,80V,110A,3.1mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 21:38:00

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FDMS86300DC规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 Power Trench® 工艺生产。先进的硅技术和 Dual Cool™ 封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

特性 Features

•Dual Cool™ 顶侧冷却 PQFN 封装
•最大 rDS(on) = 3.1 mΩ(VGS = 10 V、ID = 24 A)
•最大 rDS(on) = 4.0 mΩ(VGS = 8 V、ID = 21 A)
•高性能技术可实现极低的 rDS(on)
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86300DC

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :125

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :3.1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :59

  • Ciss Typ (pF)

    :5265

  • Package Type

    :DFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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