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FDMS86310中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,4.8mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS86310

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80V,50A,4.8mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:45:00

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FDMS86310规格书详情

描述 Description

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

•VGS = 10V,ID = 17A时,最大rDS(on) = 4.8mΩ
•VGS = 8 V,ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.7mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• DC-DC商用电源

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS86310

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :50

  • PD Max (W)

    :96

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :4.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :55

  • Ciss Typ (pF)

    :4730

  • Package Type

    :PQFN-8

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