FDMS86310数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMS86310规格书详情
描述 Description
该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。
特性 Features
•VGS = 10V,ID = 17A时,最大rDS(on) = 4.8mΩ
•VGS = 8 V,ID = 14 A时,最大rDS(on) = 6.7mΩ
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• DC-DC商用电源
技术参数
- 制造商编号
:FDMS86310
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:80
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4.5
- ID Max (A)
:50
- PD Max (W)
:96
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:4.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:55
- Ciss Typ (pF)
:4730
- Package Type
:PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN-8 |
996880 |
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FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
DFN56 |
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FAIRCHILD |
1844+ |
QFN |
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FAIRCHILD |
21+ |
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QFN |
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25+ |
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FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
QFN-8 |
98900 |
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FAIRCHILD |
21+ |
PQFN-8 |
14369 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
PQFN-8L |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |