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FDMS86310	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，4.8mΩ; •VGS = 10V，ID = 17A时，最大rDS(on) = 4.8mΩ\n•VGS = 8 V，ID = 14 A时，最大rDS(on) = 6.7mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准\n; 该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDMS86310	文件：302.43 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 80 V, 50 A, 4.8 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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FDMS86310

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，50A，4.8mΩ; •VGS = 10V，ID = 17A时，最大rDS(on) = 4.8mΩ\n•VGS = 8 V，ID = 14 A时，最大rDS(on) = 6.7mΩ\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低rDS(on)和高效率\n•新一代的增强型体二极管技术，专为软恢复而设计\n•MSL1耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准\n;

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

FDMS86310

文件：302.43 Kbytes

Page：7 Pages

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 80 V, 50 A, 4.8 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
50
PD Max (W)：
96
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
4.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
55
Ciss Typ (pF)：
4730
Package Type：
PQFN-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯阳科技有限公司	FDMS86310	FSC	15+	原厂原装	3000	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDMS86310	onsemi(安森美)	24+	Power-56-8	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多FDMS86310供应商更新时间2025-7-28 8:48:00

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