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FDMS8820中文资料N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,160A,2.0mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDMS8820

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,160A,2.0mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDMS8820规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。 已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性 Features

•最大值 rDS(on) = 2.0 mΩ(VGS = 10 V, ID = 28 A)
•最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 25 A)
•先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低rDS(on)和高效率
•新一代的增强型体二极管技术,专为软恢复而设计
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准

应用 Application

• 图形卡
• VRM Vcore Switching for Desktop and Server
• Oring FET / Load Switch
• DC-DC Conversion

技术参数

  • 制造商编号

    :FDMS8820

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :160

  • PD Max (W)

    :78

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :2.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :13

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :3995

  • Package Type

    :PQFN-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
QFN
13048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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