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FDMT1D3N08B

N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,80V,164A,1.35mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大值 rDS(on) = 0.56 mΩ(VGS = 10 V、ID = 64 A)\n• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ(VGS = 6 V、ID = 47 A)\n• 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低 rDS(on)和高效率\n•下一代增强体二极管技术,设计用于软件恢复\n•薄型 8x8mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准 ;

ONSEMI

安森美半导体

FDMT1D3N08B

N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET

文件:1.61328 Mbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

FDN304P

ON
SOT23-3

ON

FDN304P-NL

FAIRCHILD/仙童
SOT

FAIRCHILD/仙童

FDN306P

FAIRCHILD
SOT23

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传:深圳市东来宝电子科技有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    80

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    164

  • PD Max (W):

    178

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1.35

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    152

  • Ciss Typ (pF):

    14000

  • Package Type:

    PQFN-8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDMT1D3N08B供应商 更新时间2025-10-11 19:24:00