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FDMT1D3N08B | N 沟道,双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET,80V,164A,1.35mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM封装技术完美融合,可在提供最小 rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大值 rDS(on) = 0.56 mΩ(VGS = 10 V、ID = 64 A)\n• 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ(VGS = 6 V、ID = 47 A)\n• 先进的封装和硅技术完美融合,实现了低 rDS(on)和高效率\n•下一代增强体二极管技术,设计用于软件恢复\n•薄型 8x8mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准 ; | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
FDMT1D3N08B | N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 文件:1.61328 Mbytes 页数:10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ONSEMI | |
ON | ON 上传:深圳市科达星科技有限公司 | ON | ||
FAIRCHILD/仙童 | FAIRCHILD/仙童 | FAIRCHILD/仙童 | ||
FAIRCHILD | Fairchild |
技术参数
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
N-Channel
- Configuration:
Single
- V(BR)DSS Min (V):
80
- VGS Max (V):
±20
- VGS(th) Max (V):
4
- ID Max (A):
164
- PD Max (W):
178
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
1.35
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
152
- Ciss Typ (pF):
14000
- Package Type:
PQFN-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
PQFN-8 |
20300 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
DualCool-88-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ON |
25+ |
DFN-8 |
1675 |
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ON |
2022+ |
PQFN-8 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-8 |
360000 |
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Fairchild |
1930+ |
N/A |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
23+ |
PQFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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Fairchild |
22+ |
NA |
396 |
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- SI7945DP
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- SI7938DP
- SI7925DN
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- SI7946ADP
- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
- GRM21BR71H104JA11#
- TL074
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