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FDMT80080DC中文资料N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，80V，254A，1.35mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMT80080DC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.35 mΩ（VGS = 10 V、ID = 36 A）
• 最大 rDS(on) = 1.82 mΩ（VGS = 8 V、ID = 31 A）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•薄型 8x8mm MLP 封装
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Oring FET / Load Switch
• Synchronous Rectification
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDMT80080DC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：254
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：159
- Ciss Typ (pF)
：14800
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
DualCool88-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DualCool88 |
10048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
150 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
DualCool88-8 |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON |
25+23+ |
8-PowerVD |
25557 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
DualCool88-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | |||
ON/FSC |
24+ |
DUAL COOL |
24000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
PQFN8 |
9000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
