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FDMT80080DC数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDMT80080DC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.35 mΩ（VGS = 10 V、ID = 36 A）
• 最大 rDS(on) = 1.82 mΩ（VGS = 8 V、ID = 31 A）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•薄型 8x8mm MLP 封装
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Oring FET / Load Switch
• Synchronous Rectification
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDMT80080DC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：254
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：159
- Ciss Typ (pF)
：14800
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
23+ |
原厂原封 |
15000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
onsemi/安森美 |
22+ |
原装封装 |
24000 |
品质保证,信誉至上 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2324+ |
DualCool88-8 |
78920 |
二十余载金牌老企,研究所优秀合供单位,您的原厂窗口 |
询价 | ||
ONN |
2405+ |
原厂封装 |
3000 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN8X8 |
60000 |
询价 | |||
ON |
21+ |
QFN |
12000 |
全新原装 |
询价 | ||
ON |
24+ |
PQFN8 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
onsemi |
22+23+ |
DualCool88 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2410+ |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 |
