N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，80V，254A，1.35mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 1.35 mΩ（VGS = 10 V、ID = 36 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.82 mΩ（VGS = 8 V、ID = 31 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•薄型 8x8mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

B - Indoor keyed

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LEMO

雷莫

B - Indoor keyed

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