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FDMT80060DC中文资料N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，60V， 292A，1.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMT80060DC规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 43 A）
• 最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 8 V、ID = 37 A）
• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
•薄型 8x8mm MLP 封装
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Oring FET / Load Switch
• Synchronous Rectification
• DC-DC Conversion
技术参数
- 制造商编号
：FDMT80060DC
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：292
- PD Max (W)
：156
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：137
- Ciss Typ (pF)
：14406
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
Dual Cool88-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
原厂原封可拆样 |
64687 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
Dual Cool88-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DualCool-88-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
PQFN-8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
PQFN-8 |
3500 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
