丝印：80060；Package：TDFNW8；N-Channel Power MOSFET

General Description This N−Channel MOSFET is produced using onsemi’s advanced POWERTRENCH process. Advancements in both silicon and DUAL COOL package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction−to−Ambi

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，双 CoolTM 88 PowerTrench® MOSFET，60V， 292A，1.1mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 先进的硅技术和 Dual CoolTM 封装技术完美融合，可在提供最小 rDS(on) 的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 43 A）\n• 最大 rDS(on) = 1.3 mΩ（VGS = 8 V、ID = 37 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n•下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计\n•薄型 8x8mm MLP 封装\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC

Silicon Power Schottky Diode

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GENESIC