FDN304P数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-2.4 A，-20 V。 RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 VRDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V
• RDS(on) = 0.052 Ω @ VGS = -4.5 V
• RDS(on) = 0.070 Ω @ VGS = -2.5 V
• RDS(on) = 0.100 Ω @ VGS = -1.8 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT TM -3提供低RDS(ON)，并且在同样的尺寸下，功率处理能力比SOT23高出30%

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection