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FDN306P中文资料P 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,-12V,-2.6A,40mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDN306P

功能描述

P 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,-12V,-2.6A,40mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 23:38:00

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FDN306P规格书详情

描述 Description

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•-2.6 A,-12 V
•RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = -4.5 V
•RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V
•RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -1.8 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™-3提供低RDS(ON),并且在同样的尺寸下,功率处理能力比SOT23高出30%

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Management
• Load Switch
• Battery Protection

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN306P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-12

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-2.6

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :12

  • Ciss Typ (pF)

    :1138

  • Package Type

    :SOT-23-3

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