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FDN327N中文资料N 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,2A,72mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDN327N

功能描述

N 沟道,1.8V 指定,PowerTrench® MOSFET,20V,2A,72mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDN327N规格书详情

描述 Description

该20V N沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•2A、20 V
•RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 2.5 V
•RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 1.8 V
•低栅极电荷
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Battery Protection
• Power Management

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN327N

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :2

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :70

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4.5

  • Ciss Typ (pF)

    :423

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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