丝印：327；N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench® MOSFET

General Description This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications · Load switch · Battery protection · Power management Features · 2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 80

文件：186.09 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

丝印：327；Package：SOT-23；N-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

Features VDS (V) = 20V RDS(ON)

文件：403.17 Kbytes 页数：5 Pages

UMW

友台半导体

丝印：327；Package：SOT-23；N-Channel 2.5 V (D-S) MOSFET

Applications Load switch Battery protection Power management Features VDS (V) = 20V RDS(ON)

文件：310.44 Kbytes 页数：5 Pages

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

文件：84.8 Kbytes 页数：5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，1.8V 指定，PowerTrench® MOSFET，20V，2A，72mΩ

该20V N沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。 •2A、20 V\n•RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 2.5 V\n•RDS(ON) = 120 mΩ @ VGS = 1.8 V\n•低栅极电荷\n•快速开关速度\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON);

ONSEMI

安森美半导体