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FDN327N中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

FDN327N

功能描述

N-Channel 1.8 Vgs Specified PowerTrench® MOSFET

丝印标识

327

文件大小

186.09 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-14 23:00:00

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FDN327N规格书详情

General Description

This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.

Applications

· Load switch

· Battery protection

· Power management

特性 Features

· 2 A, 20 V. RDS(ON) = 70 mW @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 80 mW @ VGS = 2.5 V

RDS(ON) = 120 mW @ VGS = 1.8 V

· Low gate charge (4.5 nC typical)

· Fast switching speed

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

产品属性

  • 型号:

    FDN327N

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch PowerTrench 1.8 VGS Spec

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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