FDN352AP中文资料单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDN352AP规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合需要在很小尺寸的表面贴装封装中实现低线内功率损耗的低电压和电池供电应用。
特性 Features
•-1.3A，-30V
•RDS(ON) = 180 mΩ @ VGS = -10V
•-1.1A，-30V
•RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = -4.5V
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Notebook computer power management
技术参数
- 制造商编号
：FDN352AP
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-2.5
- ID Max (A)
：-1.3
- PD Max (W)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：180
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.4
- Ciss Typ (pF)
：150
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
30000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
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24+ |
SOT-23 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
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ON Semiconductor Corporation |
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ON(安森美) |
24+ |
SOT-23(SOT-23-3) |
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FAIRCILD |
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SOT-23 |
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ON |
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FAIRCHILD |
25+ |
SOT23 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |
