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FDN336P中文资料双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDN336P

功能描述

双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 22:59:00

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FDN336P规格书详情

描述 Description

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用: 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。

特性 Features

•-1.3 A、-20 V。
•RDS(ON) = 0.20Ω @ VGS= -4.5 V
•RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS = -2.5 V
•低栅极电荷(3.6 nC,典型值)。
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•SuperSOT™ -3提供低RDS(ON),在相同尺寸下功率处理能力比SOT23高30%

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Load Switch
• Power Management
• DC/DC converter
• Battery Charging Circuit
• Portable Electronics

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN336P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-1.3

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :270

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :4.4

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.6

  • Ciss Typ (pF)

    :330

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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