Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suit

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Fairchild

仙童半导体

丝印：WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

Product Summary Vbss= -20V, Ip=-2.8A RDS(on) 80m Q@-2.5V( Typ) 110mQ@-4.5V (Typ ) - High Power and current handing capability - Lead free product is acquired - Surface Mount Package

文件：1.50401 Mbytes 页数：4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

丝印：A1*；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement MOSFET

文件：131.039 Kbytes 页数：4 Pages

KEXIN

科信电子

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：77.87 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

文件：77.87 Kbytes 页数：5 Pages

Fairchild

仙童半导体

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件：1.039819 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。 •-1.3 A、-20 V。\n•RDS(ON) = 0.20Ω @ VGS= -4.5 V\n•RDS(ON) = 0.27 Ω @ VGS = -2.5 V\n•低栅极电荷（3.6 nC，典型值）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)\n•SuperSOT™ -3提供低RDS(ON)，在相同尺寸下功率处理能力比SOT23高30%;

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET

JGSEMI

金锆半导体

场效应管（MOSFET）

Techpublic

台舟电子