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1SS181	文件：964.04 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1SS400G	文件：1.37805 Mbytes Page：4 Pages	Marking：A1；Package：SOD-723；SOD-723 Plastic-Encapsulate Diodes FEATURES Smallsurfacemountingtype Highpseed Highreliabilitywithhighsurgecurrenthandingcapability	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SJ243	文件：860.05 Kbytes Page：7 Pages	Marking：A1；Package：SC-75；MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFET FORSWITCHING DESCRIPTION The2SJ243isaP-channelverticaltypeMOSFETthatisdrivenat 2.5V. BecausethisMOSFETcanbedrivenonalowvoltageandbecauseit isnotnecessarytoconsiderthedrivecurrent,the2SJ243isidealfor drivingtheactuatorofpower-sav	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ABAW56-HF	文件：470.81 Kbytes Page：4 Pages	Marking：A1；Package：SOT-23；SMD Switching Diode Features -Fastswitchingspeed. -Highconductance. -Surfacemountpackageideallysuited forautomaticinsertion. -Forgeneralpurposeswitchingapplications. -AEC-Q101Qualified.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
AD-BAW56	文件：964.72 Kbytes Page：5 Pages	Marking：A1；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulated Diode FEATURES ⚫Highswitchingspeed ⚫Forgeneralpurposeswitchingapplications ⚫Highconductance ⚫AEC-Q101qualified	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BAS16H	文件：192.58 Kbytes Page：9 Pages	Marking：A1；Package：SOD123F；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinasmallandflatleadSOD123FSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivepe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16H	文件：773.33 Kbytes Page：21 Pages	Marking：A1；Package：SOD123F；High-speed switching diodes Featuresandbenefits Highswitchingspeed:trr4ns Lowleakagecurrent Repetitivepeakreversevoltage: VRRM100V AEC-Q101qualified Lowcapacitance Reversevoltage:VR100V SmallSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS16H-Q	文件：190.29 Kbytes Page：10 Pages	Marking：A1；Package：SOD123F；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinasmallandflatleadSOD123FSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤100V •Repetitivepe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAW56	文件：187.04 Kbytes Page：3 Pages	Marking：A1；Package：SOT-23；Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features •Smallpackage •Lowforwardvoltage •Fastreverserecoverytime •Smalltotalcapacitance	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BAW56	文件：228.33 Kbytes Page：9 Pages	Marking：A1；Package：SOT23；High-speed switching diode 1.Generaldescription High-speedswitchingdiode,encapsulatedinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤4ns •Lowcapacitance:Cd≤2pF •Lowleakagecurrent •Reversevoltage:VR≤90V •SmallSM	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

晶体管资料

型号：
A10
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）_差分放大器射极输出（Dual）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
5
可代换的型号：
FMA10A,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-21
vtest：
50
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

产品属性

产品编号：
A1
制造商：
MACOM Technology Solutions
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
系列：
A1
包装：
带
频率：
1MHz ~ 600MHz
P1dB：
-1dBm
增益：
16dB
噪声系数：
2.4dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
15V
电流 - 供电：
9mA
测试频率：
1MHz ~ 600MHz
封装/外壳：
TO-8 形式，4 引线
供应商器件封装：
TO-8
描述：
AMPLIFIER,CASCADABLE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	A1	WJ	24+		302	现货供应	询价
北京逸博微科技有限公司	A1				10	优势库存,全新原装	询价
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深圳市百诺芯科技有限公司	A1	WJ	23+	TO-59	8510	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市中拓海外电子有限公司	A1	WJ	2023+		7		询价
深圳市纽联电子有限公司	A1	FARMOSAMICROSEMICOLTD	FM4001LP	S 50(42)2818	20000	全新原装现货样品可售	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	A1		23+	SOT89	5000	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多A1供应商更新时间2025-5-6 8:30:00

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