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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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深圳市勤思达科技有限公司

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2SA1020G-Y-AB3-R

UTC(友顺)SOT-89(SOT-89-3)

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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2SA1020功能描述:两极晶体管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SA1020_05制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

2SA1020_07制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications Power Switching Applications

2SA1020_10制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor

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2SA1020G功能描述:两极晶体管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

2SA1020G-X-AB3-R制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SA1020G-X-T9N-K制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR

产品属性

  • 产品编号：

    2SA1020

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 50mA，1A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    1µA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 500mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 长体

  • 供应商器件封装：

    TO-92（TO-226）

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 2A TO92

晶体管资料

  • 型号：

    2SA1020

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    50V

  • 最大电流允许值：

    2A

  • 最大工作频率：

    100MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    2SA1315,2SA1382,2SB892,2SB1312,CK77B,

  • 最大耗散功率：

    0.9W

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    A-12

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