FDN361BN数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDN361BN规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越开关性能而定制的。此类器件特别适合笔记本电脑、便携电话、PCMCIA卡等低电压应用及其他需要采用极小封装外形表面贴装封装、具有快速开关和低线内功率损耗的电池供电电路。
特性 Features
•1.8 A，30 V。
•RDS(ON) = 110 mΩ @ VGS = -10 V
•RDS(ON) = 160 mΩ @ VGS = 4.5 V
•低栅极电荷
•工业标准外形SOT-23表面贴装封装采用专有SuperSOT™-3设计，具有优异的热性能和电气性能
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Battery Powered Circuits
• Notebook Computers
• Portable Phones
• PCMCIA Cards
技术参数
- 制造商编号
：FDN361BN
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：1.4
- PD Max (W)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：160
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：110
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.3
- Ciss Typ (pF)
：145
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23 |
34791 |
ONSEMI/安森美全新特价FDN361BN即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
18+ |
NA |
30000 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT23-3 |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
SOT23-3 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
20808 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FSC |
24+ |
SSOT3 |
5000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 |
