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FDP023N08B中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V，242A，2.35mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDP023N08B规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 1.96mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
•低 FOM RDS(on)*QG
•低反向恢复电荷，Qrr
•反向恢复软体二极管
•使能高效同步整流
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• 消费电子
• DC-DC商用电源
• 电动自行车
• 其他数据处理
• 其他工业
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• DC Motor Drives
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDP023N08B
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：75
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：242
- PD Max (W)
：245
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.35
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：150
- Ciss Typ (pF)
：10350
- Package Type
：TO-220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FSC进口原 |
25+ |
TO-220 |
60 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-220-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
23+ |
TO-220-3 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
