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FDN86501LZ数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDN86501LZ规格书详情
描述 Description
N 沟道 MOSFET 采用飞兆的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的 rDS(on)、开关性能和耐用性。
特性 Features
• 屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大 rDS(on) = 116 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2.6 A）
• 最大 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A）
• 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
•快速开关速度
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Primary DC-DC Switch
• Load Switch
技术参数
- 制造商编号
：FDN86501LZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：2.4
- ID Max (A)
：2.6
- PD Max (W)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：173
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：116
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1.9
- Ciss Typ (pF)
：236
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT-23-3 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FDN86501LZ即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
22+ |
NA |
2445 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT-23-3 |
18000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SSOT-3 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2410+ |
80000 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2363 SC59 SOT233 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
ON |
2022+ |
SOT-23-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
