FDN5618P数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDN5618P规格书详情
描述 Description
该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•–1.25 A, –60 V. RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V, RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V
• RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V
• RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDN5618P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-1.25
- PD Max (W)
：0.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：230
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：170
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.6
- Ciss Typ (pF)
：430
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
16403 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23 |
90000 |
ONSEMI/安森美全新特价FDN5618P即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FSC |
23+ |
SOT-163 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
2511 |
SuperSOT-3 |
9550 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23 |
7200 |
只做原装支持终端 |
询价 | ||
ON |
2021+ |
SOT-23 |
30000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ONSEMI |
24+ |
SOT23 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
SOT23 |
7510 |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
询价 |
