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FDN5618P中文资料60V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-1.25A,170mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDN5618P

功能描述

60V,P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-1.25A,170mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-21 21:40:00

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FDN5618P规格书详情

描述 Description

该60V P沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。

特性 Features

•–1.25 A, –60 V. RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V, RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V
• RDS(ON) = 0.200Ω @ VGS = –10 V
• RDS(ON) = 0.230Ω @ VGS = –4.5 V
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN5618P

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-1.25

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :230

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :170

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8.6

  • Ciss Typ (pF)

    :430

  • Package Type

    :SOT-23-3

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