FDN5630中文资料N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，1.7A，100mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 这款 MOSFET 拥有较小的 SOT23 尺寸，可实现非常低的 RDS(ON)。 与其他具有同等 RDS(ON)规格的 MOSFET 相比，利用飞兆的 PowerTrench 技术可实现更快的开关速度。 这样一来，总体效率更高，所需的电路板空间更小。

特性 Features

•1.7 A、60 V、RDS(ON) = 0.100 Ω（VGS = 10 V）， RDS(ON) = 0.120 Ω（VGS = 6 V）。
• RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V
•专门针对高频 DC/DC 转换器应用进行了优化。
•低栅极电荷。
•极快速开关。
•SuperSOT™ - 3 能够以 SOT23 尺寸实现较低的 RDS(ON)。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converter
• Motor Drives