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FDN5630数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDN5630

功能描述

N 沟道,Power Trench® MOSFET,60V,1.7A,100mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:00:00

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FDN5630规格书详情

描述 Description

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 这款 MOSFET 拥有较小的 SOT23 尺寸,可实现非常低的 RDS(ON)。 与其他具有同等 RDS(ON)规格的 MOSFET 相比,利用飞兆的 PowerTrench 技术可实现更快的开关速度。 这样一来,总体效率更高,所需的电路板空间更小。

特性 Features

•1.7 A、60 V、RDS(ON) = 0.100 Ω(VGS = 10 V), RDS(ON) = 0.120 Ω(VGS = 6 V)。
• RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V
• RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V
•专门针对高频 DC/DC 转换器应用进行了优化。
•低栅极电荷。
•极快速开关。
•SuperSOT™ - 3 能够以 SOT23 尺寸实现较低的 RDS(ON)。

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.
• DC/DC Converter
• Motor Drives

技术参数

  • 制造商编号

    :FDN5630

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :1.7

  • PD Max (W)

    :0.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :180

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :400

  • Package Type

    :SOT-23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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